IC 인사이트, "플래시 메모리는 시설투자는 투자의 반을 차지하는 중요한 부분"

 

IC인사이츠에 따르면 반도체 업계는 2019년에도 자본비용 지출에서 가장 많은 부분을 플래시메모리에 할당할 것으로 예상돼 플래시가 다른 모든 부문의 지출을 주도한 3년 연속이다.

 

IC인사이츠는 "2016년 플래시메모리는 자본비용에서 파운드리 부문을 앞질렀지만 2017년에는 초대폭 상승세를 기록했다"고 말했다. 플래시 자본비용은 2017년에 276억 달러로 92%나 급증했고, 제조업자들이 수요 증가를 충족시키기 위해 3D 낸드 생산 라인을 확장 및 업그레이드함에 따라 2018년에는 319억 달러로 16%나 증가했다.

 

IC인사이츠는 "지금이 2019년에 완공되거나 늘어날 것으로 예상됨에 따라 플래시 자본비용은 올해 18% 감소한 260억달러를 기록할 전망"이라고 말했다.

 

SK하이닉스는 2018년 청주 M15에 웨이퍼 공장 신공장 준공식을 가졌다. 이 공장에서 생산된 최초의 기기는 72단 3D 낸드 플래시였다고 IC인사이츠는 말했다. 또 같은 회사 마이크론테크놀로지도 싱가포르에서 기존 2개 플래시 공장을 업그레이드하기 위해 막대한 자원을 투입해 제3의 낸드 웨이퍼 공장 건설에 착공했다.

 

도시바메모리는 2018년 상반기 요코카이치(일본) 부지에 팹6 300mm 웨이퍼 공장 건설을 완료했다. 1단계 시설은 2019년 초에 가동될 것으로 예상된다. 도시바는 또 팹6 이후의 차세대 플래시메모리 팹이 이와테 키타카미에 위치한다고 밝혔다. IC인사이츠는 2018년 7월 이 공장에 착공했다.

 

한편 IC인사이츠는 중국 칭화유니그룹 소유의 XMC/양쯔강저장기술(YMTC)이 2018년 신규 팹 공사를 완료하고 장비를 설치하고 32단 3D 낸드플래시 소량 생산을 시작했다고 밝혔다.

 

또한 삼성과 기타 주요 플래시 공급업체들은 중국이 3D 낸드 플래시 시장에서 경쟁자가 되어야 한다는 큰 계획을 잘 알고 있다고 IC인사이츠는 밝혔다. 삼성은 기존 경쟁업체나 신규 스타트업보다 훨씬 앞서기 위해 막대한 투자를 계속하고, 그들이 시장 점유율에서 벗어날 수 있다고 생각하는 사람들에 대한 경쟁 우위를 유지할 것이다.

 

삼성전자는 2017년 플래시 자본비용 130억 달러, 2018년 90억 달러를 지출해 지난해 플래시 메모리 자본 지출 총액 319억 달러의 28%를 차지했다. IC인사이츠는 삼성전자가 2019년에 플래시 자본비용을 70억 달러 더 지출할 것으로 전망했다.

 

 

 

Flash memory remains primary target for semi capex spending, says IC Insights

 

The semiconductor industry is expected to allocate the largest portion of its capex spending for flash memory again in 2019, marking the third consecutive year that flash has led all other segments in spending, according to IC Insights.

 

Flash memory trailed the foundry segment in capex in 2016, but took an extra-large jump in 2017, said IC Insights. Flash capex surged 92% to US$27.6 billion in 2017, and increased another 16% to US$31.9 billion in 2018 as manufacturers expanded and upgraded their production lines for 3D NAND to meet growing demand.

 

With much of the expansion now completed or expected to be wrapped up in 2019, flash capex is forecast to decline 18% this year to US$26.0 billion, which still is a very healthy spending level, IC Insights noted.

 

SK Hynix completed and opened its new wafer fab facility in Cheongju (South Korea) dubbed M15 in 2018. First devices produced from the factory were 72-layer 3D NAND flash, IC Insights said. Also during the year, fellow company Micron Technology allocated significant resources to upgrade its two existing flash fabs in Singapore and broke ground on construction of a third NAND wafer fab there.

 

Toshiba Memory completed construction of a new 300mm wafer plant dubbed Fab 6 at its Yokkaichi (Japan) site in the first half of 2018. Operations at Phase one of the facility are expected to begin in early 2019. Also, Toshiba announced that its next flash memory fab after Fab 6 would be located in Kitakami, Iwate. The company broke ground on this fab in July 2018, IC Insights continued.

 

Meanwhile, China's XMC/Yangtze River Storage Technology (YMTC), which is owned by Tsinghua Unigroup, in 2018 completed construction of its new fab, installed equipment, and began small-volume production of 32-layer 3D NAND flash, IC Insights indicated.

 

In addition, Samsung and other major flash suppliers are well aware of the big plans that China has to be a player in the 3D NAND flash market, IC Insights identified. Samsung will continue to invest heavily to stay far ahead of existing competitors or new startups and maintain its competitive edge against any who think they can wrestle marketshare away.

 

Samsung spent US$13.0 billion on flash capex in 2017 and US$9 billion in 2018, accounting for 28% of the total US$31.9 billion in flash memory capital spending last year. IC Insights forecast that Samsung will spend another US$7 billion for flash capex in 2019

 

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